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抢占AI存储市场下一风口消息称三星电子已启动

抢占AI存储市场下一风口消息称三星电子已启动

作者:admin    来源:未知    发布时间:2025-10-04 22:22    浏览量:

  IT之家 10 月 3 日消息,韩媒 fnnews 当地时间 1 日表示,,计划针对 AI 数据中心对于高速存储介质的需求开发新产品。由于目前尚属初期,具体产品规格及量产时间尚无法确认。

  目前几大 NAND 闪存原厂对于 HBF 高带宽闪存的理解主要有两个流派,一是闪迪提出、得到 SK 海力士支持的“NAND 版 HBM”,二是铠侠此前展示的“多 TB 超大容量高速 PCIe 设备”,报道并未确认三星选择了哪个开发方向。

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  对于大规模 AI 推理部署而言,传统的固态硬盘形态一般 NAND 存储难以满足高速输出的需求,三星电子目前持有的 Z-NAND 技术有望在介于常规 NAND 和 DRAM 之间的 MLS / SLM 层级发挥独特价值。

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